题目：面向高性能、低功耗的忆阻逻辑器件与集成技术

报告人：吕重光（池州学院，博士）

时间：2025年12月20日（周六）下午2:00

地点：材环学院3楼会议室

报告人简介：

吕重光，2019年博士毕业于南京工业大学，获工学博士学位，主要从事铁电压电功能材料的制备微结构；二维可控气相生长及其电子/光电、电磁器件；卤素钙钛矿微电存储器件的研究。近年来在Advanced Materials、Energy Storage Materials等学术期刊发表SCI论文20篇，其中以第一作者/通讯作者发表论文9篇，主持或参与国家自然科学基金重大研究计划、国自然青年科学基金和江苏省卓越博士后计划等项目。

内容提要：

随着现代信息技术进入后摩尔时代，数据存储规模随之到达了前所未有的巅峰。而新型信息器件给信息技术带来革命性的突破，更高的存储密度以及计算速度一直以来都是学术界和产业界的追求目标。忆阻器被认为是除电阻、电感和电容以外的第四种电路基本元件，其不仅具有低功耗、切换速度快和易集成的特性，而且可以在单个器件中同时融合存储和计算功能，能够满足下一代高密度信息存储和高性能计算对通用型电子存储器的性能要求。在大数据时代实现高密度存储、类脑计算以及AI等战略领域中具有重大的意义。在众多忆阻材料体系中具有铁电特性的氧化物材料是一种极为重要的忆阻材料体系。近些年来，铁电材料的优秀性能(极强的数据保持能力、优秀的抗疲劳能力、工艺尺寸可以降到纳米级以及非破坏性读出等)使其在许多技术应用中显现出巨大的潜力，具备极高的研究价值。

主办单位：池州市镁基新材料技术创新中心、安徽省高活性微纳粉体工程研究中心、微纳粉体与先进能源材料安徽省教育厅重点实验室（博士后科研工作站）、池州学院材料与环境工程学院